拓荆科技股份有限公司成立于2010年4月，是国家高新技术企业，主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售与技术服务。公司在北京、上海、海宁、沈阳、美国成立子公司。
公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，拥有自主知识产权，技术指标达到国际同类产品先进水平，公司产品已广泛应用于集成电路晶圆制造，以及TSV封装、光波导、Micro-LED、OLED显示等新技术领域。
公司产品已进入北京、上海、武汉、合肥、天津、台湾等20多个地区的60多条生产线，并设有技术服务中心，为客户提供每周7天，每天24小时的技术服务。
PART.1
ALD系列
PF-300T Astra
12英寸 PEALD设备
产品介绍
PF-300T Astra 系列是我公司自主研发的原子层沉积（Atomic Layer Deposition）设备，可配置3个2站的反应腔，现已应用于先进的芯片制造及先进封装（TSV）领域，同时针对先进制程前道工艺（FEOL）进行研制开发。现可提供具有高质量的PEALD SiO2、SiN薄膜等。
产品特点
- ALD薄膜在高宽比情况下台阶覆盖率可达到95%
- 优异的生产成本（CoO）及性能指标
- 具有优异的均匀性和优异的保型性
- 可搭载1-3个PM，每个PM可配置2个stations
- 通过S2安全认证和F47标准检验
NF-300H Astra
12英寸 PEALD设备
产品介绍
NF-300H Astra 系列是我公司自主研发的原子层沉积（Atomic Layer Deposition）设备，可配置3个6站的反应腔，其ALD反应腔搭载在高产能的PECVD平台上，满足了对设备产能的需求。现可提供具有高质量的PEALD SiO2、SiN薄膜等。
产品特点
- ALD薄膜在高宽比情况下台阶覆盖率可达到95%
- 优异的生产成本（CoO）及性能指标
- 具有良好的均匀性和保型性
- 可搭载1-3个PM，每个PM可配置6个stations
- 高产能平台
- 通过S2安全认证和F47标准检验
PF-300T Altair
12英寸 Thermal ALD设备
产品介绍
PF-300T Altair 系列是我公司自主研发的热原子层沉积（Thermal Atomic Layer Deposition）设备，以高产能PEALD设备核心技术为基础，针对相应薄膜沉积的特殊性，对反应腔模块及关键部件优化设计，实现成本更低，纯度更高的薄膜的沉积。
产品特点
- 理想的热原子层沉积系统
- 更快速的脉冲及吹扫，实现更高的产能
- 精准的化学源剂量控制，实现工艺长期稳定性
- 独特的温控设计，实现更高纯度的薄膜
- 维护简便，易耗件生命周期长，清洗成本低
PART.2
PECVD系列
PF-300T、PF-200T
12英寸 , 8英寸PECVD设备
产品介绍
PF-300T为公司自主设计研发的产品系列。设备已用于28纳米及以上集成电路的生产，可实现所有相关介质薄膜的沉积。同时已延伸至先进膜技术，产品涵盖了高刻蚀选择比的ACHM硬掩膜、低介电常数的绝缘薄膜及ADC I刻蚀阻挡层、超低介电常数的Lok II薄膜，可满足客户多种技术节点要求。
产品特点
- 可依客户选择配置1-3路液态源，实现多种先进工艺
- 具有优异的产能和CoO
- 可与8英寸兼容互相切换（PF-200T）
- 具备TSV所需的低温（<200℃）TEOS SiO2工艺
- 通过S2安全认证和F47标准检验
NF-300H TEOS
PECVD设备
产品介绍
NF-300H TEOS 设备为自主研发的产品，主要应用于沉积时间需求长的薄膜工艺，在均匀性、颗粒度、粗糙度、应力及产能等方面实现技术突破，设备性能指标达同类产品水平。
产品特点
- 高产能设计和可实现多种薄膜沉积的快速切换
- 可满足沉积时间需求长的薄膜工艺
- 满足300-600℃高温沉积需求
- PM腔内可进行多片wafer沉积和wafer自动升降旋转功能
- 通过S2安全认证
PART.3
SACVD系列
PF-300T SAF, PF-200T SA
12英寸 , 8英寸 SACVD设备
产品介绍
SACVD 设备系列是我公司自主研发的次常压化学气相沉积（SACVD）设备。SACVD反应腔搭载在已通过量产验证的高产能PECVD平台上，充分实现客户对产能的需求。该设备主要应用在STI、PMD/ILD等，满足Gap-fill的需求。
产品特点
-高质量的TEOS SiO2和BPSG工艺
-可依客户选择配置1-3路液态源，实现多种先进工艺
-可与8英寸兼容互相切换（PF-200T SA）
-可搭载1-3个PM
-通过S2安全认证和F47标准检验
PART.4
HDPCVD系列
TS-300S Hesper
HDPCVD 设备
产品介绍
Hesper 产品是 HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)12英寸高性能薄膜沉积设备。该设备主要用于 STI、PMD、ILD 和 IMD 等各种沟道介质填充，其工艺广泛用于逻辑芯片及存储器芯片制程。Hesper 系列产品采用拓荆六边形平台(TS-300S)，可搭配5个反应腔，具有高产能、高填充效果和低颗粒度等优势，可满足芯片制程中多种技术节点要求。
产品特点
-六边形的高产能平台
-可搭配多个反应腔，实现产能的优化配置
-可沉积高质量的SiO₂ 和 FSG 薄膜
-颗粒度表现优异
-沉积和刻蚀速率可控可调
-S2安全认证和F47标准检验
拓荆科技股份有限公司(沈阳）
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